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电子元器件详细资料 » IC[28069] » SI5905DC-T1-GE3
型号:SI5905DC-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SMD,扁平引线描述:MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C90 毫欧 @ 3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222450mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs9nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商设备封装1206-8 ChipFET?
包装带卷 (TR)

供应商

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SI5905DC-T1-GE3相关型号

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